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IRF7204TR

Mfr# IRF7204TR
Mfr. IR
Descripción MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Especificaciones IRF7204TR.pdf
Estado RoHS / RoHS
Más información Lea más sobre International Rectifier (Infineon Technologies) IRF7204TR
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Descripción

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Fabricante IR
Descripción MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS / RoHS
cantidad disponible 199236 pcs
Especificaciones IRF7204TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-SO
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 60 mOhm @ 5.3A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Tc)
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres *IRF7204TR
IRF7204CT
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción detallada P-Channel 20V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta)

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