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STS20N3LLH6

Mfr# STS20N3LLH6
Mfr. STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Especificaciones STS20N3LLH6.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Más información Lea más sobre STMicroelectronics STS20N3LLH6
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Descripción

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Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 17230 pcs
Especificaciones STS20N3LLH6.pdf
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-SO
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs 4.7 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.7W (Tc)
embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres 497-10580-6
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada N-Channel 30V 20A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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